Infineon提供全面的柵極驅(qū)動(dòng)器IC - EiceDRIVER?產(chǎn)品組合，優(yōu)化用于廣泛的應(yīng)用和多種開(kāi)關(guān)類型，如MOSFET、開(kāi)爾文源極MOSFET和GaN HEMT。

Infineon CoolMOS C7 MOSFET設(shè)計(jì)用于記錄電平效率性能，與先前的CoolMOS系列和競(jìng)品相比，在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)都具有巨大的效率優(yōu)勢(shì)。C7 MOSFET是技術(shù)上的一大進(jìn)步，不僅RDS(on)/封裝低，而且其開(kāi)關(guān)損耗低，在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提高了效率。C7 MOSFET優(yōu)化用于太陽(yáng)能、服務(wù)器、電信和UPS等應(yīng)用中的功率因數(shù)校正 (CCM PFC)、雙晶體管正激 (TTF) 和太陽(yáng)能升壓等技術(shù)。

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Infineon CoolMOS C7 Gold (G7) MOSFET采用創(chuàng)新型無(wú)引線SMD TO (TOLL) 封裝（采用開(kāi)爾文源極概念）。G7 MOSFET經(jīng)過(guò)改進(jìn)的600V和650V CoolMOS G7技術(shù)、4引腳開(kāi)爾文源極功能以及無(wú)引線TO封裝的更高熱性能相結(jié)合。這可為高達(dá)3kW的大電流硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洌ㄈ绻β室驍?shù)校正(PFC)）提供SMD解決方案。對(duì)于600V CoolMOS G7，MOSFET可用于高端LLC等諧振電路。

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Infineon CoolMOS CFD7 MOSFET采用高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)，集成有快速體二極管。CFD7 MOSFET是服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車(chē)充電站等大功率SMPS應(yīng)用的諧振拓?fù)浼夹g(shù)的理想選擇。CFD7 具有低柵極電荷 (Qg) 和改進(jìn)的關(guān)斷行為，其反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 比其他MOSFET低69%。CFD7具有市場(chǎng)上最短的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)。這些特性使得CoolMOS CFD7非常高效，在軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中具有出色的可靠性。應(yīng)用包括LLC和ZVS相移全橋。此外，CoolMOS? CFD7得益于優(yōu)化的RDS(on)，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

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Infineon CoolMOS P7 MOSFET的性價(jià)比屬同類最佳，簡(jiǎn)單易用，能夠應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開(kāi)發(fā)用于反激式低功耗SMPS應(yīng)用，包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設(shè)計(jì)用于小功率應(yīng)用，而且還用于大功率SMPS應(yīng)用，如太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車(chē)充電站。P7 MOSFET經(jīng)過(guò)徹底優(yōu)化，用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。